- [檢測(cè)百科]分享：使用飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜法判定痕量氧元素的測(cè)試方法2024年11月18日 14:04
- 通過一次離子轟擊固體材料表面,使二次離子從試樣表面發(fā)射的方法叫作二次離子質(zhì)譜（SIMS）法。飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜（ToF-SIMS）法的原理是利用一次離子束濺射固體材料表面,得到二次離子,根據(jù)到達(dá)檢測(cè)器的時(shí)間推斷出二次離子的質(zhì)荷比,從而得到試樣表面的成分信息[1]。ToF-SIMS是一種應(yīng)用廣泛的固體表面分析技術(shù),具有高質(zhì)量分辨率和高空間分辨率,其檢測(cè)靈敏度很高,可以檢測(cè)到痕量級(jí)（質(zhì)量分?jǐn)?shù)約為0.000 1%）的雜質(zhì)。
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